Транзистор NTB5605PG

Транзистор NTB5605PG
tranzistor_ntb5605 Картинка
250 руб.
Остаток на складе 1шт.

Аналоги F9Z24S, 2SJ302_Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P-канал
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 122 ns
Выходная емкость (Cd): 211 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Изготовитель ON Semiconductor

Используется на Плате процессорной SM416.41.000.
Позиционное обозначение VT1.

Ссылка на полное описание в PDF: https://alltransistors.com/adv/pdfdatasheet_onsemi/ntb5605pg.pdf

Весы с печатью этикеток "ШТРИХ-Принт"

Каталог запасных частей